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东莞市红木棉电子科技有限公司

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铝掺杂的硅半导体中载流子含量的测定方法

铝掺杂的硅半导体中载流子含量的测定方法

CS系列电化学工作站可用于半导体或钝化膜Mott-Schottky图的测试。通过在不同直流电位下分别叠加一固定幅值和固定频率的交流扰动信号，测得不同直流电位下的阻抗值，并根据阻抗虚部来计算耗尽区电容Csc ,最后按公式（1或2）计算并绘制Mott-Schottky图,并据此计算半导体或钝化膜材料中的载流子浓度，确定材料半导体特征。 Mott-Schottky 公式：

超级电容器材料三电极与两电极制样与测试

超级电容器材料三电极与两电极制样与测试

1. 材料准备：超级电容器材料粉末样品、聚四氟乙烯乳液、导电剂（乙炔黑）、粘结剂、参比电极、对电极、泡沫镍、电解池、电解液。 2. 制备过程：称取样品粉末、聚四氟乳液、导电剂、粘结剂加入小烧杯混合均匀，反复搅拌成膏状，放入到80℃的烘箱中烘到半干状态，放到压片机上压成150~300μm薄片，裁成1cm2的电极片，放入120℃烘箱中干燥。将干燥后的电极片用液压机在10MPa下压在泡沫镍上，作为工作电极使用。

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